UF3C120080K4S

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SiC FET - 1200 Volts, 80 Milliohms

  • 製造商零件號 # : UF3C120080K4S

  • 包裝/封裝: TO-247-4

  • 零件狀態 : ACTIVE

  • 製造商: Qorvo

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

  • RoHS:

品質保證

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捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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詳細說明

The UF3C120080K4S power module sets a new standard for high-performance power electronics with its advanced silicon carbide technology and innovative design. Its dual module configuration and bridgeless totem pole topology enable exceptional efficiency and power density, making it ideal for demanding applications in industrial, renewable energy, and electric vehicle sectors. With a voltage rating of 1200V, current rating of 80A, and maximum junction temperature of 175°C, this module delivers reliable performance even in challenging environments. The inclusion of SiC MOSFETs and Schottky diodes further enhances its capabilities, offering fast switching speeds, low resistance, and high-temperature operation

主要特徵

  • 1200V Voltage Rating
  • 80A Continuous Drain Current
  • 4mOhm RDS(on) Maximum Resistance
  • Ultra-fast switching speed
  • Low on-resistance
  • High power density

應用

  • Power supplies
  • Inverters
  • Motor drives
  • Induction heating systems
  • Power factor correction systems
  • Electric vehicle charging systems
  • Renewable energy systems
  • Welding equipment
  • Uninterruptible power supplies (UPS)

規格

以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。

Package Tube Product Status Active
FET Type N-Channel Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 12 V
Vgs (Max) ±25V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 254.2W (Tc) Operating Temperature ! -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Supplier Device Package TO-247-4
Package / Case TO-247-4 Base Product Number UF3C120080

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