UF3SC065030B7S

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650V/30mΩ SiCFET (Silicon Carbide Field-Effect Transistor) with G3 enhancement, packaged in TO263-7

  • 製造商零件號 # : UF3SC065030B7S

  • 包裝/封裝: TO-263-8,D2PAK(7Leads+Tab),TO-263CA

  • 零件狀態 : ACTIVE

  • 製造商: Qorvo

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

  • RoHS:

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詳細說明

UF3SC065030B7S is a high-performance electronic component, specifically categorized as a 650V/30MOHM SiC (Silicon Carbide) stacked fast C (capable of fast switching) device. The 650V rating indicates its ability to handle high voltages, making it suitable for various power electronics applications. The 30MOHM specifies the component's low on-state resistance, which helps minimize power losses and improve efficiency in circuits where it is used. The SiC material used in this component provides several advantages over traditional silicon-based components, including higher temperature tolerance, faster switching speeds, and lower switching losses. This makes UF3SC065030B7S ideal for applications requiring high efficiency and reliability, such as electric vehicles, renewable energy systems, and power supplies. The stacked fast C designation indicates that this component is designed for fast switching applications, enabling quick response times and precise control in dynamic systems.

主要特徵

  • Manufacturer: UnitedSiC
  • Series: UF3SC
  • Module Type: SiC Schottky Diode
  • Repetitive Reverse Voltage: 650V
  • Forward Current: 30A
  • Package: D2PAK-3
  • Fast switching speed
  • High power efficiency

應用

  • The UF3SC065030B7S is commonly used in aerospace and defense applications due to its high reliability and performance in harsh environments
  • It is also used in industrial automation systems for control and communication purposes
  • The UF3SC065030B7S can be found in medical devices for data processing and monitoring functions
  • It is utilized in transportation systems for real-time data processing and communication
  • The UF3SC065030B7S is also used in telecommunications systems for network and infrastructure management

規格

以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Status Active FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Cascode SiCJFET) Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 62A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 40A, 12V Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 12 V Vgs (Max) ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Operating Temperature ! 175°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package D2PAK-7 Package / Case TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

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