UJ4C075060K3S

A SiC FET designed for 750 volts operation with a power handling capability of 58 milliwatts
7,766 有效庫存

UJ4C075060K3S

有效庫存7,766

A SiC FET designed for 750 volts operation with a power handling capability of 58 milliwatts

  • 製造商零件號 # : UJ4C075060K3S

  • 包裝/封裝: TO-247-3

  • 零件狀態 : ACTIVE

  • 製造商: Qorvo

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

  • RoHS:

品質保證

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管或託盤

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詳細說明

UJ4C075060K3S is a high-voltage Silicon Carbide Field Effect Transistor (SICFET) designed for power electronic applications. It is an N-channel transistor with a maximum voltage rating of 750V and a maximum current rating of 28A, making it suitable for high-power circuits. The TO247-3 package type indicates that it comes in a through-hole package with three pins for easy mounting on a circuit board. The use of Silicon Carbide material in this transistor allows for higher operating temperatures, faster switching speeds, and lower on-state resistance compared to traditional Silicon transistors. This results in increased efficiency and reduced heat generation in power electronics systems. The UJ4C075060K3S is commonly used in applications such as motor control, renewable energy systems, electric vehicles, and industrial power supplies where high voltage and current handling capabilities are required. Its robust design and performance characteristics make it a reliable choice for demanding environments.

主要特徵

  • Model number: UJ4C075060K3S
  • High-performance airflow
  • Energy efficient design
  • Quiet operation
  • Multiple speed options
  • Compact size for easy installation
  • Remote control included
  • Timer function for convenience
  • Easy to clean and maintain
  • Great for cooling small to medium-sized rooms

應用

  • Industrial automation
  • Robotics
  • Machine vision systems
  • Sensor networks
  • Medical devices
  • Consumer electronics
  • Power management
  • Telecommunications
  • Automotive systems
  • Networking equipment

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Package Tube Product Status Active
FET Type N-Channel Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain to Source Voltage (Vdss) 750 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 20A, 12V Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.8 nC @ 15 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1422 pF @ 100 V Power Dissipation (Max) 155W (Tc)
Operating Temperature ! -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-3 Package / Case TO-247-3
Base Product Number UJ4C075

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