UJ3C120150K3S

1200V 18.4A P-Channel TO-247-3 Transistor
6,286 有效庫存

UJ3C120150K3S

有效庫存6,286

1200V 18.4A P-Channel TO-247-3 Transistor

  • 製造商零件號 # : UJ3C120150K3S

  • 包裝/封裝: TO-247-3

  • 零件狀態 : Active

  • 製造商: Qorvo

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

  • RoHS:

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詳細說明

The UJ3C120150K3S is a SICFET N-CH electronic component with a maximum operating voltage of 1200V and a maximum current rating of 18.4A. It is designed in a TO247-3 package, which is a popular choice for high power applications due to its ability to dissipate heat efficiently. The use of Silicon Carbide (SiC) semiconductor material in the construction of this component provides several advantages over traditional silicon-based components. SiC devices have lower on-state resistance, higher thermal conductivity, and can operate at higher temperatures, resulting in improved efficiency and performance. The N-Channel design of the UJ3C120150K3S means that it is capable of conducting current when a positive voltage is applied to the gate terminal, making it suitable for a wide range of applications including power supplies, motor control, and renewable energy systems.

主要特徵

  • Ultracapacitor with a capacitance of 150F
  • Operating voltage of 120V
  • Low ESR for efficient energy storage and delivery
  • High power density for rapid charging and discharging
  • Long cycle life for reliable performance over time
  • Compact and lightweight design for easy integration into various applications

應用

  • Power supply filtering
  • Energy storage
  • DC/DC converters
  • Photovoltaic inverters
  • Wind power converters
  • Hybrid electric vehicles
  • Induction heating
  • Motor drives
  • Switch mode power supplies
  • Uninterruptible power supplies (UPS)

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Manufacturer Qorvo Product Category ! MOSFET
RoHS Details Technology SiC
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1.2 kV Id - Continuous Drain Current 18.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance 180 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.5 V Qg - Gate Charge 30 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 175 C
Pd - Power Dissipation 166.7 W Channel Mode Enhancement
Qualification AEC-Q101 Tradename SiC FET
Series UJ3C Brand Qorvo
Configuration Single Fall Time 7 ns
Product Type ! MOSFET Rise Time ! 10 ns
Factory Pack Quantity 30 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 36 ns
Typical Turn-On Delay Time 21 ns Unit Weight 0.211644 oz

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