UJ4C075060K4S
750 volt SiC FET with 58 milliohm on-state resistance
品質保證
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認證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
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UJ4C075060K4S 數據表
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詳細說明
Designed for superior performance, the UJ4C075060K4S MOSFET is a versatile component that can be used in a wide range of electronic devices. Its N-Channel configuration and single-channel design make it ideal for applications requiring efficient power management. With a continuous drain current of 28A and a drain-source voltage of 750V, this MOSFET is capable of handling high power loads with ease. The 4-pin layout and Rds(on) test voltage of 12V ensure reliable operation, while the power dissipation of 155W and RoHS compliance guarantee environmental friendliness
主要特徵
- Model: UJ4C075060K4S
- Power rating: 75 Watts
- Voltage rating: 60 Volts
- Package: SMD
- High power density
- Low thermal resistance
- Low forward voltage drop
- Fast switching speed
- High surge capacity
- RoHS compliant
應用
- Industrial automation
- Robotics
- Motor control
- Power conversion
- Renewable energy
- Electric vehicles
- Battery management systems
- Solar inverters
- Grid-tied inverters
- Uninterruptible power supplies
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Package | Tube | Product Status | Active |
FET Type | N-Channel | Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 750 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 20A, 12V | Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.8 nC @ 15 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1422 pF @ 100 V | Power Dissipation (Max) | 155W (Tc) |
Operating Temperature ! | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247-4 | Package / Case | TO-247-4 |
Base Product Number | UJ4C075 |
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