QPD0060

有效庫存3,455

RF JFET Transistors with GaN technology capable of operating at frequencies up to 3.6GHz and a power output of 90W at 48V

  • 製造商零件號 # : QPD0060

  • 包裝/封裝: QFN

  • 製造商: QORVO

  • 產品分類 : RF FETs, MOSFETs

品質保證

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詳細說明

QPD0060 is a high-power microwave transistor specifically designed for RF and microwave applications. It belongs to the GaN (Gallium Nitride) technology family and is developed by Qorvo, a leading provider of innovative RF solutions. The QPD0060 offers exceptional performance in terms of power, efficiency, and reliability. It operates at a frequency range of 1.2 to 1.4 GHz and can deliver an output power of up to 60 watts with a gain of around 20 dB. The device has a high power-added efficiency, making it suitable for power amplification tasks in various communication systems, radar systems, and other military and commercial applications requiring high-power RF signals. With its compact size and advanced design, the QPD0060 is easy to integrate into different RF modules and systems. It features a rugged construction that ensures long-term stability and performance under demanding operating conditions. The transistor also has built-in protection circuitry to safeguard against over-voltage, over-current, and over-temperature conditions, further enhancing its reliability. In conclusion, QPD0060 is a cutting-edge microwave transistor that offers high power, efficiency, and reliability for a wide range of RF and microwave applications. Its advanced features and performance make it a preferred choice for professionals working in the RF industry

主要特徵

  • High power density
  • High gain pseudomorphic HEMT technology
  • Operates from 3.4-3.6 GHz
  • Capable of handling high input power levels
  • Low thermal resistance
  • Designed for radar and communication applications
  • High reliability and ruggedness
  • RoHS compliant

應用

  • Telecommunications
  • Radar systems
  • Satellite communication
  • Wireless communication
  • Defense systems
  • Signal amplification

推薦零件

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    TO247-3 packaged JFET transistor with 1200V voltage rating and 35mOhms on-resistance

    製造商: Qorvo 包裝/箱: TO-247-3

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  • UJ4SC075009B7S

    D2PAK-7 package with ROHS compliance

    製造商: Qorvo 包裝/箱: TO-263-8,D2PAK(7Leads+Tab),TO-263CA

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    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • UJ4C075060B7S

    TO263-7 packaged MOSFET with 750V voltage rating and 60mOhm resistance, utilizing SICFET technology

    製造商: Qorvo 包裝/箱: TO-263-8,D2PAK(7Leads+Tab),TO-263CA

    6,470 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • UF3C065030K3S

    85A current, 650V voltage, 0.035ohm resistance, N-Channel, Silicon Carbide Power Field-Effect Transistor

    製造商: Qorvo 包裝/箱: TO-247-3

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    製造商: Qorvo 包裝/箱: TO-263-8,D2PAK(7Leads+Tab),TO-263CA

    5,105 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1

  • UJ4C075060K3S

    A SiC FET designed for 750 volts operation with a power handling capability of 58 milliwatts

    製造商: Qorvo 包裝/箱: TO-247-3

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    製造商: Qorvo 包裝/箱: TO-220-3

    7,908 有存貨

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    1200-volt Silicon Carbide Field-Effect Transistor with an 8.6 milliohm On-Resistance

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    Features: ROHS compliant and 12V gate-source voltage

    製造商: Qorvo 包裝/箱: TO-247-3

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    9,236 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

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    C065040K3S, MOSFET 42mOhm - 650V SiC Cascode":

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    最小訂購量為 1