UF3SC120009K4S

1200-volt Silicon Carbide Field-Effect Transistor with an 8.6 milliohm On-Resistance
7,810 有效庫存

UF3SC120009K4S

有效庫存7,810

1200-volt Silicon Carbide Field-Effect Transistor with an 8.6 milliohm On-Resistance

  • 製造商零件號 # : UF3SC120009K4S

  • 包裝/封裝: TO247-4

  • 零件狀態 : ACTIVE

  • 製造商: Qorvo

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

  • RoHS:

品質保證

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運輸與付款

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捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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詳細說明

One of the key highlights of the UF3SC120009K4S module is its innovative Cascode configuration, which allows for minimal switching losses and enhanced speed performance. This unique design not only boosts efficiency but also reduces the size and weight of the overall system, making it a top choice for compact power solutions

主要特徵

  • Model: UF3SC120009K4S
  • Capacity: 120 GB
  • Interface: SATA 6.0 Gb/s
  • Form Factor: 2.5 inches
  • Read Speed: Up to 530 MB/s
  • Write Speed: Up to 500 MB/s
  • Shock resistance
  • Vibration resistance
  • Low power consumption

應用

  • Automotive electronics
  • Industrial control systems
  • Renewable energy systems
  • Power supplies
  • Solar inverters
  • Battery management systems

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Category ! MOSFET RoHS Details
Technology SiC Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247-4 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1.2 kV
Id - Continuous Drain Current 120 A Rds On - Drain-Source Resistance 11 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Qg - Gate Charge 234 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature ! + 175 C Pd - Power Dissipation 789 W
Channel Mode Enhancement Qualification AEC-Q101
Tradename SiC FET Series UF3SC
Brand Qorvo Configuration Single
Product Type ! MOSFET Factory Pack Quantity 600
Subcategory MOSFETs Unit Weight 0.211644 oz

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