UF3SC065007K4S
Specifications: 650V maximum voltage, 120A maximum current, 9mΩ on-resistance at 50AUF3SC065007K4S
Specifications: 650V maximum voltage, 120A maximum current, 9mΩ on-resistance at 50A
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UF3SC065007K4S 數據表
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詳細說明
The UF3SC065007K4S is an N-channel power MOSFET, designed for high-power applications with a maximum voltage rating of 650 volts and a maximum current handling capability of 120 amperes (at a case temperature of 25°C). With a power dissipation of up to 789 watts (also at 25°C case temperature), this component is suitable for demanding tasks where efficient power management is crucial. Its TO-247-4 package type is through-hole, which provides mechanical stability and facilitates easy mounting on a circuit board or heat sink. The through-hole design ensures reliable electrical connections, making it suitable for rugged industrial environments where vibration or mechanical stress may be present. As an N-channel MOSFET, it conducts current when a positive voltage is applied to the gate terminal relative to the source terminal. This makes it suitable for various applications including power supplies, motor control, inverters, and switch-mode amplifiers where efficient switching and high power handling are required.
主要特徵
- UF3SC065007K4S is a 650V SiC Schottky diode
- High temperature operation
- Low forward voltage drop
- Fast switching speed
- High reliability
- Increased system efficiency
- TO-220 package with standard leads
- RoHS compliant
應用
- Automotive industry for electric vehicle powertrains
- Industrial automation for motor drives
- Renewable energy systems for solar inverters
- Consumer electronics for home appliances
- Medical devices for imaging equipment
- Aerospace and defense for aircraft electronics
- Telecommunications for power supplies
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Manufacturer | Qorvo | Product Category ! | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | SiC |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-4 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V | Id - Continuous Drain Current | 120 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 9 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 6 V | Qg - Gate Charge | 214 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 175 C |
Pd - Power Dissipation | 789 W | Channel Mode | Enhancement |
Qualification | AEC-Q101 | Tradename | SiC FET |
Series | UF3SC | Brand | Qorvo |
Configuration | Single | Fall Time | 14 ns |
Product Type ! | MOSFET | Rise Time ! | 46 ns |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 - N Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 72 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 36 ns | Unit Weight | 0.211644 oz |
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