QPD0030

High Power RF JFET Transistors for GaN Applications
5,429 有效庫存

QPD0030

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High Power RF JFET Transistors for GaN Applications

  • 製造商零件號 # : QPD0030

  • 包裝/封裝: QFN-20

  • 製造商: QORVO

  • 產品分類 : RF FETs, MOSFETs

品質保證

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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

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我們通常會在幾個工作日內通過可靠的運輸公司（例如 FedEx、SF、UPS 或 DHL）運送訂單。 我們還支持其他運輸方式。 如果您想詢問具體的運輸細節或費用，請隨時與我們聯繫。

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服務與包裝

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在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

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例子

捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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QPD0030 數據表
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詳細說明

Product OverviewThe QPD0030 is a 45 W (P3dB) unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 5GHz on a +48 V supply rail. It is ideally suited for base station, radar and communications applications and can support both CW and pulsed mode of operations.The QPD0030 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for small cell, microcell, and active antenna systems. The QPD0030 can also be used as a driver in a macrocell base station power amplifier.The device is housed in an industry-standard 4x3 mm surface mount QFN package.Lead-free and ROHS compliant.

主要特徵

  • Operating Frequency Range: DC to 5 GHz
  • Operating Drain Voltage: +48 V
  • Maximum Output Power (PSAT): 49.0 W (1)
  • Maximum Drain Efficiency: 71.9% (1)
  • Efficiency-Tuned P3dB Gain: 22.1 dB (1)
  • Surface Mount Plastic Package

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 QPD0030 PDF 下載

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