IRLU3802PBF
Single N-Channel Power MOSFET with I-Pak package
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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IRLU3802PBF 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $0.490 | $0.49 |
200 | $0.190 | $38.00 |
500 | $0.184 | $92.00 |
1000 | $0.181 | $181.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
With its focus on high power switching applications, the IRLU3802PBF is a standout power MOSFET transistor featuring a maximum drain-source voltage of 25V and continuous drain current of 150A. Its low on-resistance of 3.8mΩ makes it an ideal fit for high efficiency power conversion systems. The TO-251 package ensures exceptional thermal performance and easy PCB mounting, while also being environmentally friendly and RoHS compliant. Its gate threshold voltage of 1V to 2V allows it to effectively drive inductive loads, making it a prime choice for motor control, battery protection, and power supplies. The low on-resistance plays a crucial role in reducing power dissipation and improving efficiency in these applications. Additionally, the IRLU3802PBF boasts a fast switching speed, enabling high frequency switching operations
主要特徵
- Fast switching speed
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Easy to use in various applications
- Enhanced Ruggedness
- High energy efficiency
應用
- Switching mode power supplies
- Motor control
- UPS systems
- Industrial automation
- Renewable energy systems
- LED lighting
- Electric vehicles
- Battery management systems
- Solar inverters
- Telecommunications equipment
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Manufacturer | Infineon | Product Category ! | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-251-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V | Id - Continuous Drain Current | 84 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 8.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V |
Qg - Gate Charge | 27 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 88 W |
Channel Mode | Enhancement | Brand | Infineon Technologies |
Configuration | Single | Fall Time | 17 ns |
Height | 6.22 mm | Length | 6.73 mm |
Product Type ! | MOSFET | Rise Time ! | 14 ns |
Factory Pack Quantity | 75 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Type | HEXFET Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 21 ns | Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
Width | 2.38 mm | Part # Aliases | SP001559000 |
Unit Weight | 0.011993 oz |
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