IRF7751TRPBF

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MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 4

  • 製造商零件號 # : IRF7751TRPBF

  • 包裝/封裝: TSSOP-8

  • 零件狀態 : Obsolete

  • 製造商: Infineon

  • 產品分類 : FET, MOSFET Arrays

  • RoHS:

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詳細說明

The IRF7751TRPBF is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) electronic component designed for use in various electronic circuits where efficient power management is required. It is a P-Channel MOSFET with a maximum drain-source voltage rating of 30V and a continuous drain current rating of 4.5A, making it suitable for medium power applications. This MOSFET is housed in an 8-pin TSSOP (Thin Shrink Small Outlined Package) package, which is known for its compact size and efficient heat dissipation capabilities. The small and lightweight design of the IRF7751TRPBF makes it ideal for use in portable electronic devices, power supplies, motor control circuits, and other applications where space is limited. The IRF7751TRPBF features a low on-state resistance and fast switching speeds, allowing for high efficiency and minimal power loss in operation. It also has a low threshold voltage, making it easy to drive and control with standard logic level signals.

主要特徵

  • High efficiency power MOSFET
  • Low on-state resistance
  • Fast switching speed
  • Enhanced temperature stability
  • Halogen-free and RoHS compliant
  • Small form factor
  • Designed for use in power supply applications
  • Operating temperature range: -55°C to 150°C

應用

  • Motor drive systems
  • Switch mode power supplies
  • DC-DC converters
  • Industrial automation
  • LED lighting
  • Solar power inverters
  • Battery charging circuits
  • Electric vehicle power systems
  • Telecommunication equipment
  • High efficiency power management

規格

以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。

Manufacturer Infineon Product Category ! MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case TSSOP-8
Transistor Polarity P-Channel Number of Channels 2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Id - Continuous Drain Current 4.5 A
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Qg - Gate Charge 29 nC
Pd - Power Dissipation 1 W Brand Infineon Technologies
Configuration Dual Height 1.2 mm
Length 4.4 mm Product Type ! MOSFET
Factory Pack Quantity 4000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 2 P-Channel Width 3 mm
Part # Aliases SP001555566 Unit Weight 0.005573 oz

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