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IRF3706SPBF
N-channel MOSFET with HEXFET technology, rated for a maximum voltage of 20V and featuring a low on-resistance of 8.5mΩ with a gate charge of 23nCIRF3706SPBF
N-channel MOSFET with HEXFET technology, rated for a maximum voltage of 20V and featuring a low on-resistance of 8.5mΩ with a gate charge of 23nC
品質保證
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運輸與付款
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IRF3706SPBF 數據表
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詳細說明
The IRF3706SPBF is an N-Channel power MOSFET designed for high-performance applications. It features a low on-resistance of 9.5 mΩ at a Vgs of 10V, making it suitable for high-current, high-power circuits. The IRF3706SPBF has a maximum drain-source voltage rating of 20V and a continuous drain current rating of 100A, making it ideal for use in a wide range of applications.This MOSFET has a TO-262 package with a solderable matte-tin finish allowing for easy mounting and heat dissipation. The IRF3706SPBF also has a built-in fast body diode that allows for fast switching speeds and efficient energy transfer in flyback circuits and other high-speed switching applications.
主要特徵
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- High current capability
- Advanced trench technology
- Operating voltage up to 30V
- Logic level gate drive
- RoHS compliant
- Available in TO-220 package
應用
- Motor control
- Switching power supplies
- DC-DC converters
- Pulse width modulation (PWM) applications
- Lighting control
- Battery charging circuits
- Audio amplifiers
- LED drivers
- Automotive electronics
- Industrial automation
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Manufacturer | Infineon Technologies | Product Category ! | FETs - Single |
| Categories | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Series | HEXFET? |
| Packaging ! | Tube | Part-Status | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Type | 2.8V, 10V | Technology | ±12V |
| Drain-to-Source-Voltage-Vdss | 88W (Tc) | Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 8.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Drive-Voltage-Max-Rds-On-Min-Rds-On | D2PAK | Vgs-th-Max-Id | TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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