IRF5852TRPBF

2.7A 20V Dual N-Channel MOSFET Transistor
5,569 有效庫存

IRF5852TRPBF

有效庫存5,569

2.7A 20V Dual N-Channel MOSFET Transistor

  • 製造商零件號 # : IRF5852TRPBF

  • 包裝/封裝: SOP-6

  • 零件狀態 : Discontinued

  • 製造商: Infineon Technologies

  • 產品分類 : FET, MOSFET Arrays

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詳細說明

IRF5852TRPBF is a MOSFET transistor manufactured by Infineon Technologies. It belongs to the category of N-channel enhancement mode power MOSFETs. This particular MOSFET has a maximum drain-source voltage rating of 20V and a continuous drain current of 2.7A. The package type for IRF5852TRPBF is a 6-pin Thin Small Outline Package (TSOP). This package provides a compact and efficient design for surface mount applications. The pin configuration includes the gate, drain, and source pins necessary for proper connectivity and operation in electronic circuits. This MOSFET features low on-resistance, allowing for efficient power management and reduced power dissipation in applications such as DC-DC converters, power management modules, and load switches. The low threshold voltage of the MOSFET also enables it to be easily driven by logic level signals in digital circuits.

IRF5852TRPBF

主要特徵

  • Power MOSFET with N-Channel
  • VDS of 100V and Continuous Drain Current of 15A
  • Low RDS(on) of 0.043 ohm
  • Fast switching speed and high performance
  • Designed for high efficiency power management applications
  • RoHS compliant and halogen-free

應用

  • Switch mode power supplies
  • Motor control circuits
  • DC/DC converters
  • LED lighting
  • Battery charging circuits
  • Industrial automation
  • Consumer electronics
  • Telecommunications
  • Automotive electronics
  • Renewable energy systems

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Category ! MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TSOP-6 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 2.7 A Rds On - Drain-Source Resistance 90 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 12 V, + 12 V Qg - Gate Charge 4 nC
Pd - Power Dissipation 960 mW Brand Infineon Technologies
Configuration Dual Height 1.1 mm
Length 3 mm Moisture Sensitive Yes
Product MOSFET Small Signal Product Type ! MOSFET
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 2 N-Channel Width 1.5 mm
Part # Aliases SP001554076 Unit Weight 0.000705 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 IRF5852TRPBF PDF 下載

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