IRF6100

P-channel silicon MOSFET capable of handling 5100mA and 20 volts
3,202 有效庫存

IRF6100

有效庫存3,202

P-channel silicon MOSFET capable of handling 5100mA and 20 volts

  • 製造商零件號 # : IRF6100

  • 包裝/封裝: BGA4

  • 製造商: INFINEON

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

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IRF6100 數據表
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詳細說明

The IRF6100 is a N-channel power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for use in high power switching applications. It features a drain-source voltage (VDS) rating of 100V and a continuous drain current (ID) rating of 3.7A, making it suitable for a wide range of power switching applications.The IRF6100 has a low on-resistance (RDS(on)) of 0.135 ohms, which helps minimize power loss and improve efficiency in high current applications. It also has a fast switching speed, with a typical turn-on time of 21ns and a turn-off time of 43ns, making it well-suited for applications where fast switching is required.The MOSFET is housed in a TO-220AB package, which provides good thermal conductivity and allows for easy mounting on a heat sink to help dissipate heat under high power operation. It also features a gate-source voltage (VGS) rating of ±20V, ensuring compatibility with a wide range of drive circuits.

主要特徵

  • Power MOSFET transistors
  • N-Channel type
  • 200V drain-source voltage rating
  • 3.1A continuous drain current
  • 10A pulsed drain current
  • Low on-resistance (0.08 ohms)
  • Compatible with surface-mount technology
  • Designed for high-speed switching applications
  • TO-220AB package type

應用

  • Switching applications in power supplies
  • Motor control systems
  • Amplifiers
  • Industrial automation
  • Battery management systems
  • Solar inverters
  • LED driver circuits
  • Audio amplifiers
  • Welding machines
  • Electric vehicle power systems

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs Mfr Infineon Technologies
Series HEXFET® Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Product Status Obsolete FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 5 V Vgs (Max) ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1230 pF @ 15 V FET Feature -
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta) Operating Temperature ! -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package 4-FlipFet™
Package / Case 4-FlipFet™

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 IRF6100 PDF 下載

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