IRF3808SPBF
The IRF3808SPBF from Infineon is a N-channel MOSFET designed to handle currents up to 106 A and voltages up to 75 VIRF3808SPBF
The IRF3808SPBF from Infineon is a N-channel MOSFET designed to handle currents up to 106 A and voltages up to 75 V
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IRF3808SPBF 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $1.908 | $1.91 |
200 | $0.739 | $147.80 |
500 | $0.713 | $356.50 |
1000 | $0.700 | $700.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
IRF3808SPBF is an N-Channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high power applications. It has a maximum voltage rating of 75V and a continuous drain current of 106A when operated at a case temperature of 25°C. The power dissipation of this component is 200W when the case temperature is maintained at 25°C. This MOSFET is housed in a Surface Mount D2PAK package, which is a type of surface mount package known for its high power dissipation capabilities and ease of mounting on a circuit board. The D2PAK package also provides good thermal conductivity, which is crucial for high power applications where heat dissipation is a concern. IRF3808SPBF is suitable for a wide range of applications that require high power switching, such as motor control, power supplies, and inverters. Its low on-state resistance and high current handling capability make it an excellent choice for high power circuits where efficiency and reliability are important factors.
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主要特徵
- Excellent thermal conductivity and stability
- Suitable for high-frequency applications
- Low noise and electromagnetic interference
應用
- Innovative solar inverters
- High-quality switching regulators
- Integrated power systems
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | TO-252-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V |
Id - Continuous Drain Current | 105 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 7 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
Qg - Gate Charge | 150 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 200 W |
Channel Mode | Enhancement | Brand | Infineon Technologies |
Configuration | Single | Fall Time | 120 ns |
Forward Transconductance - Min | 100 S | Height | 2.3 mm |
Length | 6.5 mm | Product Type ! | MOSFET |
Rise Time ! | 140 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | Automotive MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 68 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 16 ns | Width | 6.22 mm |
Part # Aliases | SP001570146 | Unit Weight | 0.011640 oz |
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