IRFU9120NPBF
High-voltage P-Channel MOSFET designed for applications requiring low on-resistance (480mOhm) and fast switching characteristics (18nC gate charge)IRFU9120NPBF
High-voltage P-Channel MOSFET designed for applications requiring low on-resistance (480mOhm) and fast switching characteristics (18nC gate charge)
品質保證
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詳細說明
The IRFU9120NPBF is a versatile Power FET that excels in handling power distribution and control tasks. Boasting a current rating of 6.6A and a voltage rating of 100V, this P-Channel FET is ideal for applications requiring high power efficiency. The TO-251AA package offers a compact and durable housing for the FET, making it easy to integrate into existing circuitry. With its lead-free and plastic construction, the IRFU9120NPBF is a sustainable choice for environmentally conscious projects seeking reliable power management solutions
主要特徵
- 100V single N-channel HEXFET power MOSFET
- Low on-state resistance
- Fast switching performance
- Avalanche energy specified
- Advanced process technology
- Low thermal resistance
- RoHS compliant
- Logic level gate drive
- Low profile D2Pak package
- Suitable for high efficiency and high frequency applications
應用
- Industrial motor control
- Servo drives
- Welding
- Industrial drives
- Uninterruptible Power Supplies (UPS)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Obsolete |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature ! | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE | Avalanche Energy Rating (Eas) | 100 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 100 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 6.5 A |
Drain Current-Max (ID) | 6.6 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.48 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-251AA |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | IN-LINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 39 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 26 A |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | NO |
Terminal Finish | MATTE TIN OVER NICKEL | Terminal Form ! | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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