IRF7526D1TRPBF
-2A 200 milliohm MOSFET with Schottky diode P-channel 7.5 nanoCoulombsIRF7526D1TRPBF
-2A 200 milliohm MOSFET with Schottky diode P-channel 7.5 nanoCoulombs
品質保證
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運輸與付款
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捲帶式
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詳細說明
With a gate charge of 8.8nC and a maximum junction temperature of 175°C, the IRF7526D1TRPBF guarantees stable performance across a wide range of operating conditions. From DC-DC converters to battery management systems, this MOSFET's high performance and reliability make it a versatile solution for various applications in need of superior power efficiency and thermal control
主要特徵
- MOSFET transistor type
- Power dissipation: 2.5W
- Voltage rating: 30V
- Current rating: 8A
- Sub-Package: D-PAK-3
- Mounting Style: Surface Mount
應用
- Switching power supplies
- Power factor correction circuits
- Motor control systems
- DC-DC converters
- Voltage regulation circuits
- Lighting and LED driver applications
- Automotive electronics
- Industrial control systems
- Telecommunications equipment
- Renewable energy systems
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Manufacturer | Infineon | Product Category ! | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | Micro-8 |
Transistor Polarity | P-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 2 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 200 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V | Qg - Gate Charge | 7.5 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 800 mW | Channel Mode | Enhancement |
Brand | Infineon Technologies | Configuration | Single |
Height | 1.11 mm | Length | 3 mm |
Moisture Sensitive | Yes | Product | MOSFET Small Signal |
Product Type ! | MOSFET | Factory Pack Quantity | 4000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
Width | 3 mm | Part # Aliases | SP001575308 |
Unit Weight | 0.006743 oz |
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