IRF3704S

Unleash the potential of your circuits with the advanced IRF3704S MOSFET transistor
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IRF3704S

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Unleash the potential of your circuits with the advanced IRF3704S MOSFET transistor

  • 製造商零件號 # : IRF3704S

  • 包裝/封裝: TO-263

  • 零件狀態 : OBSOLETE

  • 製造商: INFINEON

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

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詳細說明

The IRF3704S is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-frequency switching applications in power supplies, DC-DC converters, motor controls, and other power management systems. This N-channel MOSFET has a voltage rating of 40V and a continuous drain current of 45A, making it suitable for high-power applications.The IRF3704S has a low on-resistance of 17.5mΩ, which helps reduce power losses and improve efficiency in power conversion circuits. It also has a fast switching speed and a low gate charge, allowing for quick and efficient switching operation.This MOSFET has a TO-263 package with a standard through-hole mounting style, providing ease of installation and good thermal performance. The IRF3704S is also RoHS compliant, making it environmentally friendly.

主要特徵

  • Power MOSFET
  • Operating Voltage: 20V
  • Continuous Drain Current: 58A
  • Drain-to-Source Breakdown Voltage: 40V
  • Low on-resistance: 3.4mΩ
  • High efficiency
  • Fast switching speed
  • TO-263 package
  • Ideal for high power applications

應用

  • Switching power supplies
  • Battery chargers
  • Motor control
  • DC-DC converters
  • Lighting applications
  • Solar inverters
  • Industrial automation systems
  • Telecommunications equipment
  • Electric vehicles
  • Renewable energy systems

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Rohs Code No Part Life Cycle Code Obsolete
Pin Count ! 3 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Avalanche Energy Rating (Eas) 216 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V Drain Current-Max (Abs) (ID) 77 A
Drain Current-Max (ID) 75 A Drain-source On Resistance-Max 0.009 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e0 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 2
Operating Mode ! ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 225
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 87 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 308 A Qualification Status ! Not Qualified
Surface Mount ! YES Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form ! GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Product Category ! MOSFET
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TO-263-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 64 A Rds On - Drain-Source Resistance 9 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Qg - Gate Charge 19 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 175 C
Pd - Power Dissipation 87 W Channel Mode Enhancement
Brand Infineon / IR Fall Time 5 ns
Height 4.4 mm Length 10 mm
Product Type ! MOSFET Rise Time ! 98 ns
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 12 ns Typical Turn-On Delay Time 8.4 ns
Width 9.25 mm Unit Weight 0.139332 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 IRF3704S PDF 下載

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