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BFR193F
08A I(C), L Band, 1-element, TSFP-3
品質保證
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運輸與付款
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BFR193F 數據表
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詳細說明
BFR193F is a high-frequency NPN bipolar junction transistor (BJT) that is designed for applications requiring high performance in the VHF/UHF frequency range. It is specifically optimized for use in RF amplifiers, oscillators, and general-purpose high-frequency circuits.The transistor is housed in a TO-72 metal can package, which provides good thermal stability and efficient heat dissipation. It has a maximum collector current rating of 50 mA and a power dissipation of 250 mW, making it suitable for low-power RF applications.BFR193F has a low noise figure of 1.4 dB and a high gain of 14 dB at a frequency of 1 GHz. It has a transition frequency of 6 GHz, which allows for high-frequency operation. The device features a high cutoff frequency of 10 GHz, enabling it to be used in wideband applications.Due to its compact size and high performance characteristics, BFR193F is commonly used in telecommunications, wireless communication systems, radar systems, and other high-frequency applications where low noise and high gain are critical.In summary, BFR193F is a high-performance NPN BJT transistor with excellent characteristics for high-frequency applications, making it a popular choice for designers working in the VHF/UHF frequency range
主要特徵
- Low noise figure
- High power gain
- Low distortion
- Wide frequency range
- Good linearity
- Available in SOT223 package
應用
- RF amplifiers
- Low noise amplifiers
- Switching applications
- High frequency circuits
- Radar systems
- Mobile communication devices
- Industrial automation
- Wireless networking
- Satellite communication systems
- Medical equipment
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Package | TSFP-3 | VCEO max | 12.0 V |
| IC max | 80.0 mA | NFmin | 1 dB @900 MHz |
| Gmax | 19 dB @900 MHz | OIP3 | 29 dBm @900 MHz |
| OP1dB | 14.80 dBm @900 MHz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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