ZXMP6A18KTC
Power MOSFET, P-channel, 10.4A, 60V, 0.055ohm, DPAK-3 packageZXMP6A18KTC
Power MOSFET, P-channel, 10.4A, 60V, 0.055ohm, DPAK-3 package
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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ZXMP6A18KTC 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $0.582 | $0.58 |
10 | $0.475 | $4.75 |
30 | $0.421 | $12.63 |
100 | $0.369 | $36.90 |
500 | $0.306 | $153.00 |
1000 | $0.290 | $290.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.FEATURES• Low on-resistance• Fast switching speed• Low threshold• Low gate drive• Low profile SOIC packageAPPLICATIONS• Motor Drive• LCD backlighting
主要特徵
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- Low profile SOIC package
![DIODES Inventory DIODES Inventory](/files/uploads/inventory/diodes/diodes.jpg)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Transferred |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature ! | LOW THRESHOLD; FAST SWITCHING | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 10.4 A | Drain Current-Max (ID) | 10.4 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.055 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 10.1 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 37.5 A |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | YES |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) | Terminal Form ! | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
Manufacturer | Diodes Incorporated | Product Category ! | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | TO-252-3 |
Transistor Polarity | P-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | Id - Continuous Drain Current | 10.4 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 55 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V | Qg - Gate Charge | 44 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 10.1 W | Channel Mode | Enhancement |
Series | ZXMP6 | Brand | Diodes Incorporated |
Fall Time | 23 ns | Forward Transconductance - Min | 8.7 S |
Height | 2.39 mm | Length | 6.73 mm |
Product Type ! | MOSFET | Rise Time ! | 5.8 ns |
Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 55 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 4.6 ns | Width | 6.22 mm |
Unit Weight | 0.011640 oz |
Specification Comparison
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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