ZXMN10B08E6TA
The ZXMN10B08E6TA MOSFET is designed for applications requiring a power dissipation of up to 1.1W at 3V and 250uAZXMN10B08E6TA
The ZXMN10B08E6TA MOSFET is designed for applications requiring a power dissipation of up to 1.1W at 3V and 250uA
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製造商零件號 # : ZXMN10B08E6TA
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包裝/封裝: SOT-26-6
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零件狀態 : Active
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製造商: Diodes Incorporated
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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RoHS:
品質保證
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詳細說明
Diodes Inc ZXMN10B08E6TA N-channel MOSFET Transistor, 1.9 A, 100 V, 6-Pin SOT-23
![](/files/uploads/product/b/30357b85b0e04c71b54fa153f50a66d0.webp)
主要特徵
LOW THRESHOLD應用
SWITCHING規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-26-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
Id - Continuous Drain Current | 1.9 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 230 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
Qg - Gate Charge | 9.2 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.1 W |
Channel Mode | Enhancement | Series | ZXMN10 |
Brand | Diodes Incorporated | Configuration | Single |
Fall Time | 2.1 ns | Height | 1.3 mm |
Length | 3.1 mm | Product | MOSFET Small Signals |
Product Type ! | MOSFET | Rise Time ! | 2.1 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 12.1 ns | Typical Turn-On Delay Time | 2.9 ns |
Width | 1.8 mm | Unit Weight | 0.000529 oz |
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