SI4435DYPBF
Power MOSFET with excellent efficiency and switching speedSI4435DYPBF
Power MOSFET with excellent efficiency and switching speed
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製造商零件號 # : SI4435DYPBF
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包裝/封裝: SOIC-8
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零件狀態 : Obsolete
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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SI4435DYPBF 數據表
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詳細說明
The SI4435DYPBF is a P-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high efficiency power management applications. It has a maximum drain-source voltage rating of 30V and a continuous drain current rating of 8A, making it suitable for moderate to high power applications. This MOSFET comes in an 8-pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit) package, which provides a compact footprint while still allowing for easy installation and soldering. The SOIC package also offers good thermal performance, helping to dissipate heat effectively during operation. The SI4435DYPBF features a low on-state resistance (RDS(on)) of typically 42mOhms, which helps minimize power losses and improve overall efficiency in power switching circuits. Additionally, it has a fast switching speed and low gate charge, making it suitable for applications requiring high switching frequencies.
主要特徵
- Low Power Consumption
- Wide Operating Voltage Range
- High Efficiency Power Amplifier
- Adjustable Output Power
- Flexible Packet Handling
- Integrated Preamble Detector
應用
- Wireless communication systems
- Remote control systems
- Sensor networks
- Home automation
- Industrial monitoring and control
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Id - Continuous Drain Current | 8 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 20 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Qg - Gate Charge | 40 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 2.5 W | Channel Mode | Enhancement |
Brand | Infineon Technologies | Configuration | Single |
Fall Time | 31 ns | Height | 1.75 mm |
Length | 4.9 mm | Product Type ! | MOSFET |
Rise Time ! | 17 ns | Factory Pack Quantity | 95 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
Type | HEXFET Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 130 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 16 ns | Width | 3.9 mm |
Part # Aliases | SP001569846 | Unit Weight | 0.019048 oz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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