SI4410DYPBF

MOSFET with a 30V rating, N-channel, HEXFET technology, and 13.5mOhms resistance
4,156 有效庫存

SI4410DYPBF

有效庫存4,156

MOSFET with a 30V rating, N-channel, HEXFET technology, and 13.5mOhms resistance

  • 製造商零件號 # : SI4410DYPBF

  • 包裝/封裝: SOIC-8

  • 零件狀態 : Obsolete

  • 製造商: INFINEON

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

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詳細說明

The SI4410DYPBF is a N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with a maximum drain-source voltage of 30V and a continuous drain current of 10A. It comes in an 8-pin small outline (SO) package, making it suitable for various electronic applications. One key feature of the SI4410DYPBF is its low on-resistance, which allows for efficient power management and minimal power loss during operation. This makes it ideal for use in power management circuits, voltage regulation, and motor control applications. Additionally, the SI4410DYPBF has a fast switching speed, which is essential for applications requiring rapid on/off switching cycles. This feature, combined with its high current capacity, makes it well-suited for use in power amplifiers, synchronous rectifiers, and DC-DC converters.

主要特徵

  • Enhanced power MOSFET
  • Advanced high voltage technology
  • Low on-resistance
  • High speed switching
  • Low threshold voltage
  • Easy to drive
  • TO-220 package
  • 0.1Ohm On-resistance
  • 100V Drain-source voltage
  • 27A Drain current

應用

  • Power management systems
  • Battery charging circuits
  • Portable electronic devices
  • Automotive electronics
  • Industrial automation
  • Telecommunication systems
  • Medical devices
  • Sensor interfaces
  • Lighting control systems
  • Smart home applications

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs Mfr Infineon Technologies
Series HEXFET® Package Tube
Product Status Discontinued FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1585 pF @ 15 V FET Feature -
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) Operating Temperature ! -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package 8-SO
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Manufacturer Infineon
Product Category ! MOSFET RoHS Details
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Id - Continuous Drain Current 10 A Rds On - Drain-Source Resistance 20 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
Qg - Gate Charge 30 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature ! + 150 C Pd - Power Dissipation 2.5 W
Channel Mode Enhancement Brand Infineon Technologies
Configuration Single Fall Time 44 ns
Forward Transconductance - Min 35 S Height 1.75 mm
Length 4.9 mm Product Type ! MOSFET
Rise Time ! 7.7 ns Factory Pack Quantity 3800
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type HEXFET Power MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 38 ns
Typical Turn-On Delay Time 11 ns Width 3.9 mm
Part # Aliases SP001563080 Unit Weight 0.019048 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 SI4410DYPBF PDF 下載

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