NVH4L080N120SC1

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 80 m?, TO247?4L
5,357 有效庫存

NVH4L080N120SC1

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MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 80 m?, TO247?4L

  • 製造商零件號 # : NVH4L080N120SC1

  • 包裝/封裝: TO-247-4

  • 零件狀態 : Active

  • 製造商: Onsemi

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

  • RoHS:

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例子

捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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NVH4L080N120SC1 數據表

價格 (USD)

數量 單價 總價
1 $22.522 $22.52
10 $21.789 $217.89
45 $20.519 $923.36
90 $19.409 $1,746.81

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詳細說明

With the NVH4L080N120SC1 EliteSiC MOSFET, users can expect to experience a step-change in performance and reliability. This is thanks to its advanced technology, which delivers superior switching capabilities and increased resilience compared to standard Silicon MOSFETs. Additionally, its compact size and low ON resistance result in reduced capacitance and gate charge, offering a wide range of benefits to the overall system. These include unrivaled efficiency levels, faster operation frequency, heightened power density, reduced electromagnetic interference (EMI), and a decrease in system size

主要特徵

  • High Speed Data Transmission
  • Laser Diode Integrated
  • Self-Contained Module
  • Precision Temperature Control

應用

  • Fast Charging
  • High Efficiency
  • Compact Design

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Manufacturer onsemi Product Category ! MOSFET
RoHS Details Technology SiC
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-4LD
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1.2 kV Id - Continuous Drain Current 29 A
Rds On - Drain-Source Resistance 80 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 15 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4.3 V Qg - Gate Charge 56 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 175 C
Pd - Power Dissipation 170 W Channel Mode Enhancement
Brand onsemi Configuration Single
Fall Time 5.4 ns Forward Transconductance - Min 11.3 S
Product Type ! MOSFET Rise Time ! 4.2 ns
Factory Pack Quantity 30 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 26.8 ns
Typical Turn-On Delay Time 9 ns Unit Weight 0.211644 oz

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