NVMFD5853NLT1G

Dual N−Channel Logic Level Power MOSFET 40V, 34A, 10mΩ, DFN8 5x6, 1.27P Dual Flag (SO8FL-Dual), 1500-REEL, Automotive Qualified
7,193 有效庫存

NVMFD5853NLT1G

有效庫存7,193

Dual N−Channel Logic Level Power MOSFET 40V, 34A, 10mΩ, DFN8 5x6, 1.27P Dual Flag (SO8FL-Dual), 1500-REEL, Automotive Qualified

  • 製造商零件號 # : NVMFD5853NLT1G

  • 包裝/封裝: DFN EP

  • 零件狀態 : Obsolete

  • 製造商: Onsemi

  • 產品分類 : FET, MOSFET Arrays

品質保證

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捲帶式

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剪膠帶

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詳細說明

The NVMFD5853NLT1G automotive power MOSFET is a game-changer in the industry. Its 5x6mm flat lead package is the perfect choice for compact and efficient automotive designs, while its high thermal performance ensures reliable operation in demanding conditions. The Wettable Flank Option adds an extra layer of quality assurance with enhanced optical inspection capabilities. With AEC-Q101 qualification and PPAP capability, this MOSFET is tailor-made for automotive applications that require precision and durability. Count on the NVMFD5853NLT1G to exceed your expectations and deliver exceptional performance in any automotive project

主要特徵

  • Achieves High Efficiency with Low RDSON
  • Pulse Width Modulation Compatible
  • Suitable for Automotive and Industrial Applications

應用

  • Inverter control
  • PWM applications
  • Automotive systems

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code End Of Life
Part Package Code DFN8 5x6, 1.27P Dual Flag (SO8FL-Dual) Pin Count ! 8
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas) 40 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 34 A Drain Current-Max (ID) 12 A
Drain-source On Resistance-Max 0.015 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-F6 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 2
Number of Terminals 6 Operating Mode ! ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 24 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 165 A
Reference Standard AEC-Q101 Surface Mount ! YES
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form ! FLAT
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Element Material SILICON Manufacturer onsemi
Product Category ! MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SO-8FL-Dual-8 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
Id - Continuous Drain Current 34 A Rds On - Drain-Source Resistance 10 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.4 V
Qg - Gate Charge 12.8 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature ! + 175 C Pd - Power Dissipation 24 W
Channel Mode Enhancement Qualification AEC-Q101
Series NVMFD5853NL Brand onsemi
Product Type ! MOSFET Factory Pack Quantity 1500
Subcategory MOSFETs Unit Weight 0.001319 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 NVMFD5853NLT1G PDF 下載

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