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NVD6824NLT4G
Power MOSFET N-channel DPAK 100V 40A 24mOhm
品質保證
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認證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
NVD6824NLT4G 數據表
價格 (USD)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | $0.742 | $0.74 |
| 200 | $0.289 | $57.80 |
| 500 | $0.277 | $138.50 |
| 1000 | $0.274 | $274.00 |
這些價格會受到市場波動的影響，需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The NVD6824NLT4G is a high-performance Automotive Power MOSFET specifically designed for automotive applications. With a voltage rating of 100V and a current handling capability of 41A, this MOSFET is well-equipped to meet the demands of the automotive industry. Additionally, its low on-resistance of 20 mΩ ensures efficient power delivery with minimal losses
主要特徵
- Fault-Tolerant Architecture
- High-Speed Data Transfer
- Achieves Low EMI Emissions
- Designed for Aerospace Applications
- Suitable for High-Reliability Systems
- Achieves High-Performance Computing
應用
- Remote control
- Bluetooth module
- Wireless transmitter
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | End Of Life |
| Part Package Code | DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252 | Pin Count ! | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 80 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 41 A | Drain Current-Max (ID) | 8.5 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.023 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 175 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 88 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 231 A |
| Surface Mount ! | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
| Terminal Form ! | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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