NVD5117PLT4G
Trans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/RNVD5117PLT4G
Trans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
認證
我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
NVD5117PLT4G 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $6.788 | $6.79 |
10 | $6.184 | $61.84 |
30 | $5.814 | $174.42 |
100 | $5.508 | $550.80 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
As an AEC-Q101 Qualified MOSFET, the NVD5117PLT4G has been rigorously tested to ensure reliable performance in the demanding automotive industry. It is also PPAP capable, allowing for easy integration into production processes. Whether used in power distribution systems, motor control applications, or other automotive electronics, this MOSFET provides the high performance and reliability required for critical automotive functions
主要特徵
- Fast Response Time
- High Surge Current
- AEC-Q100 Qualified
- Pulse Width Modulation
- Low Thermal Impedance
- Electromagnetic Immunity
應用
- Electronic Device
- Home Automation
- Industrial Control
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Status | Last Shipments | CAD Models | |
Compliance | PbAHP | Package Type | DPAK-3 |
Case Outline | 369C | MSL Type | 1 |
MSL Temp (°C) | 260 | Container Type | REEL |
Container Qty. | 2500 | ON Target | N |
Channel Polarity | P-Channel | Configuration | Single |
V(BR)DSS Min (V) | -60 | VGS Max (V) | 20 |
VGS(th) Max (V) | -2.5 | ID Max (A) | 61 |
PD Max (W) | 118 | RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | 22 |
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 16 | Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | 7.8 |
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 85 | Ciss Typ (pF) | 4800 |
Pricing ($/Unit) | Price N/A |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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