NVH4L045N065SC1

Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 33 mohm, 650V
7,250 有效庫存

NVH4L045N065SC1

有效庫存7,250

Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 33 mohm, 650V

  • 製造商零件號 # : NVH4L045N065SC1

  • 包裝/封裝: TO-247-4

  • 製造商: Onsemi

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

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例子

捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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NVH4L045N065SC1 數據表

價格 (USD)

數量 單價 總價
1 $17.301 $17.30
10 $16.564 $165.64
30 $15.288 $458.64
100 $14.175 $1,417.50

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詳細說明

The NVH4L045N065SC1 power MOSFET from ON Semiconductor is a top-of-the-line component designed for demanding high-power applications. With a VDS rating of 650V and an ID rating of 34.9A, this MOSFET is well-equipped to handle the rigors of server power supplies, telecom systems, industrial power supplies, and motor drives. The low RDS(on) of 4.5 mΩ ensures that power is efficiently handled, while the SuperFET III package helps to reduce losses and improve overall system efficiency. Additionally, the built-in VGS clamp provides an extra layer of protection against over-voltage conditions, ensuring optimal system reliability

主要特徵

  • High Power Density
  • Low RDS(on)
  • Low Gate Charge
  • Low Reverse Recovery Charge
  • High Switching Speed
  • Low Thermal Resistance
  • High Avalanche Energy
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • 175°C Maximum Operating Temperature

應用

  • Automotive-grade performance
  • Compact size for easy installation
  • High power efficiency

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Date Of Intro 2020-03-27 Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 650 V Drain Current-Max (Abs) (ID) 65.5 A
Drain Current-Max (ID) 65.5 A FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 13.76 pF JEDEC-95 Code TO-247
JESD-30 Code R-PSFM-T4 JESD-609 Code e3
Number of Elements 1 Number of Terminals 4
Operating Mode ! ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style FLANGE MOUNT
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 338 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 312 A Surface Mount ! NO
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed Terminal Form ! THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Transistor Element Material SILICON CARBIDE

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 NVH4L045N065SC1 PDF 下載

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