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NVH4L022N120M3S
EliteSiC Silicon Carbide MOSFET featuring 22mohm resistance, 1200V, M3S technology, TO247-4L package
NVH4L022N120M3S
EliteSiC Silicon Carbide MOSFET featuring 22mohm resistance, 1200V, M3S technology, TO247-4L package
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NVH4L022N120M3S 數據表
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詳細說明
The NVH4L022N120M3S is an N-Channel electronic component designed for high power applications. It has a voltage rating of 1200 V and a continuous current rating of 68 A at a case temperature of 25°C. The power dissipation for this component is rated at 352W at a case temperature of 25°C. The package style for this component is Through Hole TO-247-4L, which is a widely used package for high-power devices due to its ability to efficiently dissipate heat. This package style also allows for easy mounting on a PCB or heat sink. The NVH4L022N120M3S is commonly used in industrial applications such as power supplies, motor control, and inverters where high power handling capabilities are required. Its N-Channel design allows for low on-state resistance and high efficiency operation.
主要特徵
- Model: NVH4L022N120M3S
- Input Voltage: 120V
- Power: 22W
- Size: Not specified
- Color Temperature: Not specified
- Lumens: Not specified
- Dimmable: Not specified
- Certifications: Not specified
- Manufacturer: Not specified
應用
- On Board Charger (OBC)
- DC/DC converters for EV/HEV
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Manufacturer | onsemi | Product Category ! | FETs - Single |
| Series | Automotive AEC-Q101 | Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Operating-Temperature | TO-247-4L | Mounting-Type | - |
| Supplier-Device-Package | 68A (Tc) | FET-Type | 30mOhm @ 40A 18V |
| Power-Dissipation-Max | Tube | FET-Feature | 151 nC @ 18 V |
| Current-Continuous-Drain-Id-25°C | Active | RoHS | Details |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-4 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current | 68 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 30 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 10 V, + 22 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.4 V | Qg - Gate Charge | 151 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 352 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | onsemi | Configuration | Single |
| Fall Time | 13 ns | Forward Transconductance - Min | 34 S |
| Product Type ! | MOSFET | Rise Time ! | 24 ns |
| Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
| Typical Turn-Off Delay Time | 48 ns | Typical Turn-On Delay Time | 18 ns |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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