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NVH4L015N065SC1
N-Channel Silicon Carbide MOSFET for Automotive Applications, 650V, 142A, TO-247 Package
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N-Channel Silicon Carbide MOSFET for Automotive Applications, 650V, 142A, TO-247 Package
品質保證
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運輸與付款
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例子
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NVH4L015N065SC1 數據表
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詳細說明
Step into a new era of power electronics with the NVH4L015N065SC1 and its revolutionary EliteSiC MOSFET technology. This cutting-edge product sets a new standard in performance and reliability compared to traditional Silicon MOSFETs. With its low ON resistance and compact chip size, the NVH4L015N065SC1 offers reduced capacitance and gate charge, leading to enhanced system efficiency, faster operation frequency, and higher power density. Additionally, this product helps to mitigate electromagnetic interference and allows for a more compact system design, providing a comprehensive solution for power electronics applications
主要特徵
- Designation: NVH4L015N065SC1
- Material: Nitrile rubber
- Size: 15mm inner diameter, 65mm outer diameter
- Temperature range: -40°C to 120°C
- Low friction
- High wear resistance
- Seal lip design
- Suitable for various industrial applications
應用
- Used in cars
- For aircraft
- Wind energy
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 25 Weeks | Date Of Intro | 2020-03-27 |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 650 V |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 164 A | Drain Current-Max (ID) | 164 A |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 39.33 pF |
| JEDEC-95 Code | TO-247 | JESD-30 Code | R-PSFM-T4 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 4 |
| Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 753 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 859 A |
| Surface Mount ! | NO | Terminal Finish | MATTE TIN |
| Terminal Form ! | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Element Material | SILICON CARBIDE |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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