BLF872
LDMOS technology 5-pin RF transistor with 65V VDS
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製造商零件號 # : BLF872
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包裝/封裝: SOT800
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製造商: NXP
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產品分類 : RF FETs, MOSFETs
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
BLF872 數據表
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詳細說明
General descriptionA 300 W LDMOS RF power transistor for broadcast transmitter applications and industrial applications. The transistor can deliver 250 W broadband over the full UHF band from 470 MHz to 860 MHz. The excellent ruggedness and broadband performance of this device makes it ideal for digital transmitter applications.Features■ Typical 2-tone performance at 860 MHz, a drain-source voltage VDS of 32 V and a quiescent drain current IDq = 2 × 0.9 A: ◆ Peak envelope power load power PL(PEP) = 300 W ◆ Gain Gp = 15 dB ◆ Drain efficiency ηD = 43 % ◆ Third order intermodulation distortion IMD3 = −28 dBc■ Typical DVB performance at 858 MHz, a drain-source voltage VDS of 32 V and a quiescent drain current IDq = 2 × 0.9 A: ◆ Average output power PL(AV) = 70 W ◆ Gain Gp = 15 dB ◆ Drain efficiency ηD = 30 % ◆ Third order intermodulation distortion IMD3 = −28 dBc (4.3 MHz from center frequency)■ Advanced flange material for optimum thermal behavior and reliability■ Excellent ruggedness■ High power gain■ Designed for broadband operation (UHF band)■ Excellent reliability■ Internal input and output matching for high gain and optimum broadband operation■ Source on underside eliminates DC isolators, reducing common-mode inductance■ Easy power controlApplications■ Communication transmitter applications in the UHF band■ Industrial applications in the UHF band
主要特徵
- Typical 2-tone performance at 860 MHz, a drain-source voltage VDS of 32 V and a quiescent drain current IDq = 2 × 0.9 A:
- Peak envelope power load power PL(PEP) = 300 W
- Gain Gp = 15 dB
- Drain efficiency ηD = 43 %
- Third order intermodulation distortion IMD3 = −28 dBc
- Typical DVB performance at 858 MHz, a drain-source voltage VDS of 32 V and a quiescent drain current IDq = 2 × 0.9 A:
- Average output power PL(AV) = 70 W
- Gain Gp = 15 dB
- Drain efficiency ηD = 30 %
- Third order intermodulation distortion IMD3 = −28 dBc (4.3 MHz from center frequency)
- Advanced flange material for optimum thermal behavior and reliability
- Excellent ruggedness
- High power gain
- Designed for broadband operation (UHF band)
- Excellent reliability
- Internal input and output matching for high gain and optimum broadband operation
- Source on underside eliminates DC isolators, reducing common-mode inductance
- Easy power control
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Obsolete |
Part Package Code | SOT | Pin Count ! | 4 |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Additional Feature ! | HIGH RELIABILITY | Case Connection | SOURCE |
Configuration | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | DS Breakdown Voltage-Min | 65 V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Highest Frequency Band | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 Code | R-CDFM-F4 | Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 4 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 200 °C | Package Body Material | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Qualification Status ! | Not Qualified |
Surface Mount ! | YES | Terminal Form ! | FLAT |
Terminal Position | DUAL | Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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