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BLF7G10LS-250
SOT-502B Package RF MOSFET for Transistor Applications
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品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
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BLF7G10LS-250 數據表
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詳細說明
The BLF7G10LS-250 is an RF Power Field-Effect Transistor designed for ultra high frequency band applications. It features N-Channel Silicon metal-oxide semiconductor FET technology, making it a reliable choice for high-frequency amplification. This transistor comes in a ROHS compliant ceramic package-2, ensuring its environmental friendliness. With its high power output and low noise characteristics, this transistor is ideal for use in communication equipment, radar systems, and other high-frequency applications
主要特徵
- Excellent ruggedness
- High efficiency
- Low Rth providing excellent thermal stability
- Designed for broadband operation (869 MHz to 960 MHz)
- Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
- Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
- Internally matched for ease of use (input and output)
- Integrated ESD protection
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Part Life Cycle Code | Obsolete | Reach Compliance Code | |
| ECCN Code | EAR99 | Case Connection | SOURCE |
| Configuration | SINGLE | DS Breakdown Voltage-Min | 65 V |
| Drain Current-Max (ID) | 56 A | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Highest Frequency Band | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 Code | R-CDFP-F2 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLATPACK |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | YES |
| Terminal Form ! | FLAT | Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Application | AMPLIFIER |
| Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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