BLS6G2731-120
MOSFET RF Power Transistor
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製造商零件號 # : BLS6G2731-120
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包裝/封裝: SOT502A
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製造商: NXP
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產品分類 : RF FETs, MOSFETs
品質保證
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BLS6G2731-120 數據表
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詳細說明
General description120 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 2.7 GHz to 3.1 GHz range.Features■ Typical pulsed RF performance at a frequency of 2.7 GHz to 3.1 GHz, a supply voltage of 32 V, an IDq of 100 mA, a tp of 100 µs with δ of 10 %: ♦ Output power = 120 W ♦ Power gain = 13.5 dB ♦ Efficiency = 48 %■ Easy power control■ Integrated ESD protection■ High flexibility with respect to pulse formats■ Excellent ruggedness■ High efficiency■ Excellent thermal stability■ Designed for broadband operation (2.7 GHz to 3.1 GHz)■ Internally matched for ease of use■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances (RoHS)Applications■ S-band power amplifiers for radar applications in the 2.7 GHz to 3.1 GHz frequency range
主要特徵
- Typical pulsed RF performance at a frequency of 2.7 GHz to 3.1 GHz, a supply voltage of 32 V, an IDq of 100 mA, a tp of 100 µs with δ of 10 %:
- ♦ Output power = 120 W
- ♦ Power gain = 13.5 dB
- ♦ Efficiency = 48 %
- Easy power control
- Integrated ESD protection
- High flexibility with respect to pulse formats
- Excellent ruggedness
- High efficiency
- Excellent thermal stability
- Designed for broadband operation (2.7 GHz to 3.1 GHz)
- Internally matched for ease of use
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances (RoHS)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Transferred | Pin Count ! | 2 |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Case Connection | SOURCE | Configuration | SINGLE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | Drain Current-Max (ID) | 33 A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Highest Frequency Band | S BAND |
JESD-30 Code | R-CDFM-F2 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Qualification Status ! | Not Qualified |
Surface Mount ! | YES | Terminal Form ! | FLAT |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | AMPLIFIER | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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