BLF888
Reliable and durable UHF band operation guarantee
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製造商零件號 # : BLF888
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包裝/封裝: SOT-262
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製造商: Nxp Semiconductors
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產品分類 : RF FETs, MOSFETs
品質保證
品質保證
從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
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運輸與付款
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服務與包裝
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About After Sales Service
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關於包裝
在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
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例子
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捲帶式
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BLF888 數據表
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詳細說明
General descriptionA 500 W LDMOS RF power transistor for broadcast transmitter applications and industrial applications. The transistor is optimized for digital applications and can deliver 110 W average DVB-T broadband over the full UHF band from 470 MHz to 860 MHz. The excellent ruggedness of this device makes it ideal for digital transmitter applications.Features and benefits■ 2-Tone performance at 860 MHz, a drain-source voltage VDS of 50 V and a quiescent drain current IDq = 1.3 A: ◆ Peak envelope power load power = 500 W ◆ Power gain = 19 dB ◆ Drain efficiency = 46 % ◆ Third order intermodulation distortion = 32 dBc■ DVB performance at 858 MHz, a drain-source voltage VDS of 50 V and a quiescent drain current IDq = 1.3 A: ◆ Average output power = 110 W ◆ Power gain = 19 dB ◆ Drain efficiency = 31 % ◆ Shoulder distance = 31 dBc (4.3 MHz from center frequency)■ Integrated ESD protection■ Advanced flange material for optimum thermal behavior and reliability■ Excellent ruggedness■ High power gain■ High efficiency■ Designed for broadband operation (470 MHz to 860 MHz)■ Excellent reliability■ Internal input matching for high gain and optimum broadband operation■ Easy power control■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)Applications■ Communication transmitter applications in the UHF band■ Industrial applications in the UHF band
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主要特徵
- 2-Tone performance at 860 MHz, a drain-source voltage VDS of 50 V and a quiescent drain
- current IDq = 1.3 A:
- Peak envelope power load power = 500 W
- Power gain = 19 dB
- Drain efficiency = 46 %
- Third order intermodulation distortion = 32 dBc
- DVB performance at 858 MHz, a drain-source voltage VDS of 50 V and a quiescent drain current IDq = 1.3 A:
- Average output power = 110 W
- Power gain = 19 dB
- Drain efficiency = 31 %
- Shoulder distance = 31 dBc (4.3 MHz from center frequency)
- Integrated ESD protection
- Advanced flange material for optimum thermal behavior and reliability
- Excellent ruggedness
- High power gain
- High efficiency
- Designed for broadband operation (470 MHz to 860 MHz)
- Excellent reliability
- Internal input matching for high gain and optimum broadband operation
- Easy power control
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Pin Count ! | 5 |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature ! | HIGH RELIABILITY | Case Connection | SOURCE |
Configuration | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | DS Breakdown Voltage-Min | 104 V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Highest Frequency Band | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 Code | R-CDFM-F5 | Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 5 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 200 °C | Package Body Material | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Gain-Min (Gp) | 18 dB | Qualification Status ! | Not Qualified |
Surface Mount ! | YES | Terminal Form ! | FLAT |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | AMPLIFIER | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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