BLT50,115
UHF power transistor BLT50 SC-73 4-Pin
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製造商零件號 # : BLT50,115
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包裝/封裝: SC-73
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零件狀態 : OBSOLETE
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產品分類 : Bipolar RF Transistors
品質保證
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BLT50,115 數據表
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詳細說明
The BLT50,115 is an RF transistor designed for use in high-frequency applications. It is an NPN bipolar junction transistor with a maximum operating frequency of 470 MHz and a power dissipation of 500mW. This component is housed in a SOT223 package, which is a surface-mount device package that offers space-saving advantages and improved thermal performance. The BLT50,115 transistor features a low collector-emitter saturation voltage of 0.32V at a collector current of 5A, making it suitable for high-efficiency amplifier designs. It has a high gain-bandwidth product of 2.5 GHz and a low input capacitance of 60 pF, enabling it to deliver high-performance amplification with minimal signal distortion. This transistor operates at a maximum voltage of 10V and is capable of delivering a continuous output power of up to 2W. It is commonly used in RF amplifier circuits, frequency multipliers, and signal modulation applications where high-speed operation and low power consumption are essential.
主要特徵
- Max load capacity of 50kg and stroke length of 115mm
- Compact and lightweight design for easy integration
- High precision and smooth operation
- Low power consumption for energy efficiency
- Multiple mounting options for flexible installation
- Suitable for various automation applications
應用
- Industrial automation
- Robotics
- Automotive manufacturing
- Machine vision systems
- Material handling
- Packaging equipment
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | RF Bipolar Transistors | RoHS | Details |
Transistor Type | Bipolar Power | Technology | Si |
Transistor Polarity | NPN | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 10 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 3 V | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 150 C | Configuration | Single |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SC-73 |
Brand | NXP Semiconductors | Collector- Base Voltage VCBO | 20 V |
DC Current Gain hFE Max | 25 | Height | 1.7 mm |
Length | 6.7 mm | Maximum DC Collector Current | 500 mA |
Pd - Power Dissipation | 2 W | Product Type ! | RF Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | Transistors |
Type | RF Bipolar Power | Width | 3.7 mm |
Part # Aliases | 934004150115 | Unit Weight | 0.003527 oz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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