TN0200K-T1-E3
N-channel MOSFET transistor in TO-236 package rated for 20V voltage and 0.73A currentTN0200K-T1-E3
N-channel MOSFET transistor in TO-236 package rated for 20V voltage and 0.73A current
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製造商零件號 # : TN0200K-T1-E3
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包裝/封裝: SOT23-3
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零件狀態 : OBSOLETE
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製造商: Vishay Siliconix
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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RoHS:
品質保證
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詳細說明
The TN0200K-T1-E3 MOSFET is a versatile electronic device designed for a wide range of applications. Featuring N-channel polarity, it can handle a continuous drain current of 730mA and a drain-source voltage of 20V. With a power dissipation rating of 350mW, this MOSFET can deliver consistent performance while preventing overheating. Additionally, its low drain-source on resistance of 0.2ohm at 4.5V ensures minimal power losses during operation. Furthermore, this MOSFET is compliant with RoHS regulations, making it a sustainable choice for environmentally conscious projects
主要特徵
LOGIC LEVEL COMPATIBLE應用
Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS |Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers |Battery Operated Systems, DC/DC Converters |Solid-State Relays |Load/Power Switching-Cell Phones, Pagers規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Status | Obsolete | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 730mA (Ta) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 50µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2 nC @ 4.5 V |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Base Product Number | TN0200 |
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