STB80N20M5
N-channel 200 V, 0.019 Ohm typ., 61 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK PackageSTB80N20M5
N-channel 200 V, 0.019 Ohm typ., 61 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK Package
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製造商零件號 # : STB80N20M5
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包裝/封裝: D2PAK
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製造商: STMicroelectronics
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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STB80N20M5 數據表
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詳細說明
The STB80N20M5 utilizes the advanced MDmesh™ M5 vertical process technology, coupled with the proven PowerMESH™ horizontal layout, to deliver a Power MOSFET with remarkably low on-resistance. This makes it the perfect solution for high-power applications that demand superior efficiency
主要特徵
- High surge withstand capability
- Good thermal stability
- Low temperature coefficient
- Excellent electromagnetic compatibility
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Part Life Cycle Code | Active | Part Package Code | D2PAK |
Pin Count ! | 4 | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 52 Weeks |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 200 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 61 A | Drain Current-Max (ID) | 65 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.02 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-263AB | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 190 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 260 A |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | YES |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form ! | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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