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STD5N52U
N-channel 525 V, 1.25 Ohm, 4.4 A, UltraFASTmesh Power MOSFET in a DPAK packageSTD5N52U
N-channel 525 V, 1.25 Ohm, 4.4 A, UltraFASTmesh Power MOSFET in a DPAK package
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製造商零件號 # : STD5N52U
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包裝/封裝: DPAK
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製造商: STMicroelectronics
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
STD5N52U 數據表
價格 (USD)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | $0.732 | $0.73 |
| 10 | $0.620 | $6.20 |
| 30 | $0.565 | $16.95 |
| 100 | $0.508 | $50.80 |
| 500 | $0.476 | $238.00 |
| 1000 | $0.458 | $458.00 |
這些價格會受到市場波動的影響，需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
With the STD5N52U, users can expect top-notch functionality and reliability. Its innovative design ensures reduced on resistance, making it an efficient choice for a variety of applications. The inclusion of Zener gate protection adds an extra layer of security, while the high dv/dt capability sets this MOSFET apart from others on the market. Furthermore, the fast body-drain recovery diode contributes to the device's overall speed and performance
主要特徵
- Very low input currents drawn
- No latch-up under normal conditions
- High voltage and current handling capabilities
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Part Life Cycle Code | Active | Part Package Code | TO-252 |
| Pin Count ! | 3 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 50 Weeks |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 170 mJ | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 525 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 4.4 A |
| Drain Current-Max (ID) | 4.4 A | Drain-source On Resistance-Max | 1.5 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-252 |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 70 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 17.6 A |
| Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | YES |
| Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed | Terminal Form ! | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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