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STW34NB20
200 volt N-channel MOSFET with 34 amp capacity
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製造商零件號 # : STW34NB20
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包裝/封裝: TO-247
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製造商: STMicroelectronics
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
STW34NB20 數據表
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詳細說明
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switch ing characteristics.FEATURES SUMMARY ■ TYPICAL RDS(on) = 0.062 Ω ■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ■ 100% AVALANCHE TESTED ■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES ■ GATE CHARGE MINIMIZEDAPPLICATIONS ■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS) ■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE ■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
主要特徵
- TYPICAL RDS(on) = 0.062 Ω
- EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
- 100% AVALANCHE TESTED
- VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
- GATE CHARGE MINIMIZED
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Part Package Code | TO-247AC | Pin Count ! | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code ! | 8541.29.00.95 | Additional Feature ! | AVALANCHE RATED |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 650 mJ | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 200 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 34 A |
| Drain Current-Max (ID) | 34 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.075 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 130 pF |
| JEDEC-95 Code | TO-247AC | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
| JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation Ambient-Max | 180 W |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 180 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 136 A |
| Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | NO |
| Terminal Finish | Matte Tin (Sn) | Terminal Form ! | THROUGH-HOLE |
| Terminal Position | SINGLE | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON | Turn-on Time-Max (ton) | 95 ns |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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