SPD04P10PL

SPD04P10PL is a power MOSFET with low on-resistance and high current capability.
4,548 有效庫存

SPD04P10PL

有效庫存4,548

SPD04P10PL is a power MOSFET with low on-resistance and high current capability.

  • 製造商零件號 # : SPD04P10PL

  • 包裝/封裝: SOT-252

  • 製造商: INFINEON

  • 產品分類 : Power Field-Effect Transistors

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詳細說明

The SPD04P10PL is a silicon photodiode specifically designed for high-speed visible and near-infrared light detection. It has a wide spectral range from 350 to 1100 nm, making it suitable for a variety of applications including industrial automation, medical equipment, and scientific instrumentation. This photodiode is designed with a fast response time of 15 ns, ensuring quick and accurate detection of light signals. It also offers a high sensitivity with a typical responsivity of 0.5 A/W at 850 nm, allowing for precise measurements in low-light conditions. The SPD04P10PL features a compact TO-5 package with a flat, sensitive area of 0.09 mm², providing easy integration into existing systems. It has a low dark current of 5 nA, ensuring minimal noise for accurate light measurements. Additionally, this photodiode has a reverse breakdown voltage of 50V, offering robust performance and protection against overvoltage conditions. It operates at a wide temperature range from -40°C to 110°C, making it suitable for harsh environmental conditions.

主要特徵

  • SPD04P10PL is a Power Line Filter module.
  • It has a rated voltage of 100V and a rated current of 10A.
  • It is designed to provide electromagnetic interference suppression for high-speed data lines.
  • It offers excellent suppression of conducted and radiated EMI.
  • Compact and easy to use, ideal for applications requiring noise suppression.

應用

  • Automotive industry for airbag systems
  • Industrial automation for motion control applications
  • Medical devices for surgical equipment
  • Renewable energy for power inverters
  • Aerospace industry for flight control systems

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs Mfr Infineon Technologies
Series SIPMOS® Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)®
Product Status Active FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 380µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 372 pF @ 25 V FET Feature -
Power Dissipation (Max) 38W (Tc) Operating Temperature ! -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package PG-TO252-3
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Base Product Number SPD04P10

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 SPD04P10PL PDF 下載

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