SIHG20N50C-E3
The specifications of SIHG20N50C-E3 include its TO-247AC-3 package typeSIHG20N50C-E3
The specifications of SIHG20N50C-E3 include its TO-247AC-3 package type
品質保證
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運輸與付款
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
SIHG20N50C-E3 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $1.183 | $1.18 |
10 | $1.080 | $10.80 |
25 | $0.991 | $24.78 |
100 | $0.923 | $92.30 |
500 | $0.894 | $447.00 |
1000 | $0.880 | $880.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The SIHG20N50C-E3, a remarkable 500V N-channel enhancement mode power MOSFET, is engineered to deliver a continuous drain current capability of 20A. Its incredibly low on-state resistance of 0.17 ohms makes it an ideal choice for high power applications where efficiency is critical. Housed in a TO-247 package, this MOSFET ensures outstanding thermal performance, allowing for efficient heat dissipation even under heavy loads. With a gate charge of just 40nC, the SIHG20N50C-E3 enables rapid switching speeds and minimizes switching losses, leading to improved system performance and reliability
主要特徵
- The SIHG20N50C-3 has a Vds rating of 500V
- A maximum drain current of 21A
- An Rds(on) of 0.18ohm
- For use in high-power applications where high efficiency and reliability are key
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V | Id - Continuous Drain Current | 20 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 270 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | Qg - Gate Charge | 65 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 250 mW | Channel Mode | Enhancement |
Brand | Vishay / Siliconix | Configuration | Single |
Fall Time | 44 ns | Forward Transconductance - Min | 6.4 S |
Height | 20.82 mm | Length | 15.87 mm |
Product Type ! | MOSFET | Rise Time ! | 27 ns |
Factory Pack Quantity | 500 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 32 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 80 ns | Width | 5.31 mm |
Unit Weight | 0.211644 oz |
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