PSMN9R1-30YL
PSMN9R1-30YL Power Field-Effect Transistor
品質保證
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認證
我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
PSMN9R1-30YL 數據表
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詳細說明
The PSMN9R1-30YL is a N-channel 30V power MOSFET designed for high power applications. It features a low on-resistance of only 4.9 mΩ, making it suitable for high efficiency power conversion circuits. With a maximum drain current of 120A, this MOSFET can handle high power loads with ease.The PSMN9R1-30YL is housed in a TO-220 package, making it easy to mount on a heat sink for efficient heat dissipation. It has a gate threshold voltage of 2.5V, ensuring compatibility with a wide range of driving circuits. This MOSFET also features a fast switching speed, allowing for quick response times in switching applications.In terms of reliability, the PSMN9R1-30YL offers a high avalanche energy rating of 320mJ, ensuring robust performance in overvoltage conditions. It also has a low reverse recovery charge, reducing switching losses and improving overall efficiency.
主要特徵
- Low on-state resistance
- Fast switching performance
- Low threshold voltage
- Designed for high efficiency applications
- Low gate charge
- RoHS compliant
- Direct replacement for traditional MOSFETs
應用
- Motor control
- Lighting control
- DC/DC converters
- Battery management systems
- Power supplies
- Solar inverters
- Electric vehicles
- Industrial automation
- Robotics
- Energy storage systems
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Not Recommended |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Date Of Intro | 2017-02-01 | Avalanche Energy Rating (Eas) | 17 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (ID) | 57 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0136 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | MO-235 | JESD-30 Code | R-PSSO-G4 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 4 |
Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 229 A | Surface Mount ! | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form ! | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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