PSMN2R6-40YS
40V N-Channel Trench MOSFET with 100A in SOT669 PackagePSMN2R6-40YS
40V N-Channel Trench MOSFET with 100A in SOT669 Package
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製造商零件號 # : PSMN2R6-40YS
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包裝/封裝: SOT669-5
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製造商: Nexperia Usa Inc.
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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捲帶式
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詳細說明
The PSMN2R6-40YS is a Power MOSFET transistor manufactured by NXP Semiconductors. It is part of the company's NextPowerS3 technology, which enables high-efficiency power conversion in automotive and industrial applications. This MOSFET features a drain-source voltage (VDS) of 40V and a continuous drain current (ID) of 100A, making it suitable for high-power applications. It has an ultra-low gate charge of 18nC and a low on-resistance of 1.8mΩ, resulting in higher efficiency and reduced power dissipation. The PSMN2R6-40YS is housed in a TO-220 package, which provides good thermal performance for improved reliability. It also features a low profile design and a small footprint, allowing for easy integration into space-constrained applications. This transistor is designed for use in a wide range of applications, including power supplies, motor control, and battery management systems. Its high performance, low on-resistance, and high reliability make it a popular choice for engineers looking to optimize their power designs.
主要特徵
- Low on-state resistance
- High current capability
- Enhanced switching performance
- Low gate charge
- 100% avalanche tested
- Designed for high efficiency and reliability
- TO-220 fullpack package
- Enhanced power dissipation capability
- Fast recovery diode included
應用
- Automotive applications
- Industrial automation
- DC-DC converters
- Electric power steering systems
- Switched-mode power supplies
- Motor control
- Solar inverters
- Battery management systems
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | MOSFET | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-669-5 | Brand | Nexperia |
Product Type ! | MOSFET | Subcategory | MOSFETs |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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