MRF6S21050L

Name: MRF6S21050L
Rating: 4.5 (10 reviews)

Description of MRF6S21050L RF MOSFET Transistors

7,630 有效庫存

MRF6S21050L

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Description of MRF6S21050L RF MOSFET Transistors

製造商零件號 # : MRF6S21050L
包裝/封裝: NI-400-3
零件狀態 : End Of Life
製造商: NXP
產品分類 : RF FETs, MOSFETs
RoHS:

品質保證

從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

認證

我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

關於運送

我們通常會在幾個工作日內通過可靠的運輸公司（例如 FedEx、SF、UPS 或 DHL）運送訂單。我們還支持其他運輸方式。如果您想詢問具體的運輸細節或費用，請隨時與我們聯繫。

關於付款

我們接受多種支付方式，包括VISA、MasterCard、銀聯、西聯、PayPal等渠道。

如果您有特定的付款方式或想詢問費率和其他詳細信息，請隨時與我們聯繫。

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保持貨物收到時的原始狀態。

最後請注意，退貨或換貨的資格取決於對退貨商品實際狀況的評估。在完成退貨或換貨流程之前，我們將評估收到的貨物。如果您對退貨或換貨有任何疑問或需要進一步幫助，請隨時通過以下方式聯絡我們： [email protected]

關於包裝

在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。外包裝堅固耐用且閉合牢固。我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

例子

捲帶式

剪膠帶

管或託盤

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詳細說明

The MRF6S21050L is a high power N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Transistor designed for broadband applications. It operates in the frequency range of 2110 to 2170 MHz and is ideal for use in base station power amplifiers for wireless infrastructure applications.This transistor offers a typical gain of 14 dB and a power output of 50 W with a 14.5 V supply voltage. It has high efficiency and linearity, making it suitable for high power RF applications where performance is essential. The device is capable of handling a maximum VSWR of 10:1 for output power levels up to 50 W.The MRF6S21050L features internal pre-match for optimal performance, simplifying the matching process for designers. It also offers excellent thermal performance with a low thermal resistance of 0.7 °C/W which ensures stable operation even at high power levels. The transistor is housed in a high power plastic package with bolt-down flange for easy installation and heat dissipation.

主要特徵

Frequency range from 2110 to 2170 MHz
Low input and output VSWR for stability
Excellent thermal performance
High efficiency and gain
RoHS compliant
Designed for 3G and 4G base station applications

應用

Radar systems
Communication systems
Satellite communication
Wireless infrastructure
ISM band applications

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Manufacturer	NXP	Product Category !	RF MOSFET Transistors
Transistor Polarity	N-Channel	Technology	Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	68 V	Operating Frequency !	2.11 GHz to 2.17 GHz
Gain	16 dB	Output Power !	11.5 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature !	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	NI-400-3
Brand	NXP Semiconductors	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Height	3 mm
Length	10.3 mm	Pd - Power Dissipation	151 W
Product Type !	RF MOSFET Transistors	Subcategory	MOSFETs
Type	RF Power MOSFET	Vgs - Gate-Source Voltage	- 500 mV, 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	Width	9.9 mm
Unit Weight	0.130450 oz

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