PSMN7R5-60YLX

PSMN7R5-60YL - N-channel 60 V, 7.5 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56@en-us SOIC 4-Pin
3,291 有效庫存

PSMN7R5-60YLX

有效庫存3,291

PSMN7R5-60YL - N-channel 60 V, 7.5 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56@en-us SOIC 4-Pin

  • 製造商零件號 # : PSMN7R5-60YLX

  • 包裝/封裝: SOT669

  • 零件狀態 : Active

  • 製造商: NXP

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

品質保證

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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

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例子

捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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PSMN7R5-60YLX 數據表

價格 (USD)

數量 單價 總價
1 $0.624 $0.62
10 $0.611 $6.11
30 $0.601 $18.03
100 $0.591 $59.10

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詳細說明

The PSMN7R5-60YLX is a high-performance logic level N-channel MOSFET housed in an LFPAK56 (Power SO8) package, making it ideal for a variety of power supply and motor control applications. With TrenchMOS technology incorporated into its design, this MOSFET offers superior performance and reliability in demanding environments

主要特徵

  • Ultra-low RDSon and Qg for improved efficiency
  • Logic level gate operation simplifies control circuits
  • High-reliability rating ensures consistent performance
  • Avalanche rated with 100% tested for durability

應用

  • High-speed charging
  • Miniature power supplies
  • Smart home technology

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Part Life Cycle Code Active Part Package Code SOIC
Pin Count ! 4 Reach Compliance Code compliant
Additional Feature ! AVALANCHE RATED Avalanche Energy Rating (Eas) 76.5 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V Drain Current-Max (ID) 86 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0087 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code MO-235 JESD-30 Code R-PSSO-G4
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 4
Operating Mode ! ENHANCEMENT MODE Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 346 A Reference Standard IEC-60134
Surface Mount ! YES Terminal Finish TIN
Terminal Form ! GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Manufacturer Nexperia
Product Category ! MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-669-5 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 86 A Rds On - Drain-Source Resistance 6 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.4 V
Qg - Gate Charge 60.6 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature ! + 175 C Pd - Power Dissipation 147 W
Channel Mode Enhancement Brand Nexperia
Fall Time 26 ns Product Type ! MOSFET
Rise Time ! 30 ns Factory Pack Quantity 1500
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 42 ns Typical Turn-On Delay Time 17 ns
Part # Aliases 934069896115 Unit Weight 0.003225 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 PSMN7R5-60YLX PDF 下載

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