PSMN7R0-60YS
Power MOSFET with N-Channel configuration, 60V Vds, and 89A Id ratingPSMN7R0-60YS
Power MOSFET with N-Channel configuration, 60V Vds, and 89A Id rating
品質保證
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PSMN7R0-60YS 數據表
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詳細說明
The PSMN7R0-60YS is a power MOSFET transistor designed for high-performance applications in power supplies, motor control, and light dimming circuits. It is part of the N-channel MOSFET family and features a drain-source voltage rating of 60V, a continuous drain current of 65A, and a low on-resistance of 7.0mΩ.This MOSFET is constructed using advanced technology to ensure high switching speeds, low on-state resistance, and high ruggedness against electrical and thermal stress. It also features a compact and efficient package design for easy integration into various electronic circuits.The PSMN7R0-60YS is capable of operating in a wide temperature range from -55°C to 175°C, making it suitable for harsh environmental conditions. It also has a low gate charge and low input capacitance, allowing for efficient and fast switching.
主要特徵
- Designed for automotive applications
- Fast switching speed
- Low on-state resistance
- Enhanced power efficiency
- High thermal performance
- High reliability
- Voltage range up to 60V
- Current rating of 60A
- Robust and durable construction
- Excellent avalanche capability
應用
- Automotive systems
- Power management
- Motor control
- Battery management
- DC-DC converters
- Solar power inverters
- Industrial automation
- Uninterruptible power supplies (UPS)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Transferred |
Pin Count ! | 235 | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Avalanche Energy Rating (Eas) | 143 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | Drain Current-Max (ID) | 89 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0064 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | MO-235 | JESD-30 Code | R-PSSO-G4 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 4 |
Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 356 A |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | YES |
Terminal Finish | Tin (Sn) | Terminal Form ! | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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