NVMFS6B14NLWFT1G
MOSFET T5 100V LL S08FL
品質保證
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NVMFS6B14NLWFT1G 數據表
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詳細說明
Moreover, the NVMFS6B14NLWFT1G is designed for space-constrained environments, with its small form factor and compact surface-mount package ensuring easy integration into designs with limited space availability. This MOSFET also boasts stellar thermal performance, thanks to its low thermal resistance and well-thought-out thermal management design. These features enable the NVMFS6B14NLWFT1G to operate reliably in high-power scenarios without running the risk of overheating
主要特徵
- Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs
- Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
- Low Capacitance to Minimize Driver Losses
- NVMFD5852NLWF − Wettable Flanks Option for Enhanced Optical Inspection
- AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
- This is a Pb−Free Device
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Status | Obsolete | FET Type | N-Channel |
Technology | Si | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 55A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 20A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±16V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 94W (Tc) |
Operating Temperature ! | -55°C ~ 175°C (TJ) | Grade | Automotive |
Qualification | AEC-Q101 | Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | Package / Case | SO-8FL |
Base Product Number | NVMFS6 | Manufacturer | onsemi |
Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
Id - Continuous Drain Current | 55 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 19 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 16 V, + 16 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
Qg - Gate Charge | 17 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 94 W |
Channel Mode | Enhancement | Brand | onsemi |
Configuration | Single | Fall Time | 7.2 ns |
Product Type ! | MOSFET | Rise Time ! | 67.6 ns |
Factory Pack Quantity | 1500 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 14.8 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 11 ns | Unit Weight | 0.006596 oz |
Specification Comparison
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