NVHL020N090SC1

MOSFET with a resistance of 20 milliohms and a voltage rating of 900 volts
3,441 有效庫存

NVHL020N090SC1

有效庫存3,441

MOSFET with a resistance of 20 milliohms and a voltage rating of 900 volts

  • 製造商零件號 # : NVHL020N090SC1

  • 包裝/封裝: TO-247-3LD

  • 零件狀態 : Active

  • 製造商: Onsemi

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

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詳細說明

Introducing the NVHL020N090SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET, a cutting-edge solution for automotive power electronics. This N-Channel MOSFET features a low on-resistance of 20 mohm and a high voltage rating of 900 V, providing optimal performance in demanding applications. Its TO247-3L package ensures efficient heat dissipation, making it suitable for automotive environments. With automotive qualification and 450 units per tube, this MOSFET is ready to meet the rigorous demands of the automotive industry

主要特徵

  • Part Number: NVHL020N090SC1
  • Manufacturer: Vishay
  • Transistor Type: N-Channel
  • Drain-Source Voltage: 900V
  • Current Rating: 20A
  • Package Type: TO-247AC
  • RoHS Compliant: Yes

應用

  • Power distribution
  • Hybrid vehicles
  • HVAC systems

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 54 Weeks Date Of Intro 2019-10-28
Avalanche Energy Rating (Eas) 264 mJ Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 900 V Drain Current-Max (Abs) (ID) 118 A
Drain Current-Max (ID) 118 A Drain-source On Resistance-Max 0.028 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 24 pF
JEDEC-95 Code TO-247 JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ! ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 503 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 472 A
Reference Standard AEC-Q101 Surface Mount ! NO
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form ! THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON CARBIDE
Manufacturer onsemi Product Category ! MOSFET
RoHS Details Technology SiC
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 900 V Id - Continuous Drain Current 118 A
Rds On - Drain-Source Resistance 28 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4.3 V Qg - Gate Charge 196 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 175 C
Pd - Power Dissipation 503 W Channel Mode Enhancement
Qualification AEC-Q101 Brand onsemi
Fall Time 13 ns Forward Transconductance - Min 49 S
Product Type ! MOSFET Rise Time ! 63 ns
Factory Pack Quantity 30 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 55 ns
Typical Turn-On Delay Time 40 ns Unit Weight 0.211644 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 NVHL020N090SC1 PDF 下載

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