K4T51163QG-HCE7
This product is a DDR DRAM with a capacity of 32MX16 and operates with a speedy 0K4T51163QG-HCE7
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品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
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K4T51163QG-HCE7 數據表
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詳細說明
The 512Mb DDR2 SDRAM is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 4banks or 16Mbit x 8 I/Os x 4banks or 8Mbit x 16 I/Os x 4 banks device. This synchronous device achieves high speed double data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications.Key Features • JEDEC standard VDD = 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 • Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3, 4 , 5 • Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1 • Burst Length: 4 , 8(Interleave/Nibble sequential) • Programmable Sequential / Interleave Burst Mode • Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data strobe is an optional feature) • Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment • On Die Termination • Special Function Support -50ohm ODT -High Temperature Self-Refresh rate enable • Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
主要特徵
- JEDEC standard VDD = 1.8V ± 0.1V Power Supply
- VDDQ = 1.8V ± 0.1V
- 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin
- 4 Banks
- Posted CAS
- Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6
- Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3, 4 , 5
- Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1
- Burst Length: 4 , 8(Interleave/Nibble sequential)
- Programmable Sequential / Interleave Burst Mode
- Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data strobe is an optional feature)
- Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment
- On Die Termination
- Special Function Support
- -50ohm ODT
- -High Temperature Self-Refresh rate enable
- Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
- All of products are Lead-Free, Halogen-Free, and RoHS compliant
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | HTS Code ! | 8542.32.00.28 |
Access Time-Max | 0.4 ns | Clock Frequency-Max (fCLK) | 400 MHz |
I/O Type | COMMON | Interleaved Burst Length | 4,8 |
JESD-30 Code | R-PBGA-B84 | JESD-609 Code | e1 |
Memory Density | 536870912 bit | Memory IC Type | DDR2 DRAM |
Memory Width | 16 | Moisture Sensitivity Level | 3 |
Number of Terminals | 84 | Number of Words | 33554432 words |
Number of Words Code | 32000000 | Operating Temperature-Max | 95 °C |
Operating Temperature-Min | Organization | 32MX16 | |
Output Characteristics | 3-STATE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | FBGA | Package Equivalence Code | BGA84,9X15,32 |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | GRID ARRAY, FINE PITCH |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Power Supplies ! | 1.8 V |
Qualification Status ! | Not Qualified | Refresh Cycles | 8192 |
Sequential Burst Length | 4,8 | Standby Current-Max | 0.008 A |
Supply Current-Max | 0.275 mA | Supply Voltage-Nom (Vsup) | 1.8 V |
Surface Mount ! | YES | Technology | CMOS |
Temperature Grade ! | OTHER | Terminal Finish | TIN SILVER COPPER |
Terminal Form ! | BALL | Terminal Pitch ! | 0.8 mm |
Terminal Position | BOTTOM |
Specification Comparison
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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