IXFH60N50P3
PolarP3 technology enhances performance of this 500V MOSFETIXFH60N50P3
PolarP3 technology enhances performance of this 500V MOSFET
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製造商零件號 # : IXFH60N50P3
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包裝/封裝: TO247-3
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
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運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
IXFH60N50P3 數據表
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詳細說明
Elevate your performance with the IXFH60N50P3 from the PolarP3™ HiPerFET™ product family. Crafted with precision and innovation, this product stands out for its exceptional Figure of Merit (FOM) that outshines traditional super junction technologies in the 300V, 500V, and 600V range. The IXFH60N50P3 offers a host of benefits, including up to a 12 percent reduction in on-state resistance (Rdson), a 14 percent decrease in gate charge (Qg), and a remarkable 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). Furthermore, the IXFH60N50P3 features improved thermal management, thanks to reduced chip thicknesses that lower thermal resistances and enhance total power density. Step into the future of power electronics with the IXFH60N50P3
主要特徵
- Enhanced safety features
- Overvoltage protection
- Safe shutdown capability
- Rugged construction
應用
- Next-gen DC-DC conversion
- Robust robotics applications
- Reliable power inverters
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Drain-Source Voltage (V) | 500 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.11 |
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 60 | Gate Charge (nC) | 96 |
Input Capacitance, CISS (pF) | 6250 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.12 |
Configuration | Single | Package Type | TO-247 |
Power Dissipation (W) | 1040 | Maximum Reverse Recovery (ns) | 250 |
Sample Request | Yes | Check Stock | Yes |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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